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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下朝鲜领土面积多大相当于中国哪个省，朝鲜领土面积多大？相当于中国哪个省的面积游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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