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体校怎么考,上体校需要什么条件呢,体校需要什么条件可以考? 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看(kàn)一则突发消息(xī)。

体校怎么考,上体校需要什么条件呢,体校需要什么条件可以考?>  美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

  此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放,只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

  公告(gào)显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)体校怎么考,上体校需要什么条件呢,体校需要什么条件可以考?了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性,巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

  有券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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