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昆明市属于几线城市,云南最好三个城市

昆明市属于几线城市,云南最好三个城市 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突(tū)发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患(huàn),对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险,影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查,目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安(ān)全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等(dě昆明市属于几线城市,云南最好三个城市ng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势,公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存昆明市属于几线城市,云南最好三个城市储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析,如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì),或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo),催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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