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盱眙的邮编号码是多少啊 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

  据网信办消息(xī),日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(y盱眙的邮编号码是多少啊ǐn)患(huàn),对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此,网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng),为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全,防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu),也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì),公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉盱眙的邮编号码是多少啊(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo),催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单(dān),设备国(guó)产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积(jī))等相关公司份额(é)提(tí)升,以及存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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