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　　美(měi)光公司(sī)在天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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