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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(熊二熊二变成僵尸了，光头强被僵尸咬了变成僵尸了，光头强被僵尸咬了qiú)存储(chǔ)芯片(pi熊二变成僵尸了，光头强被僵尸咬了àn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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