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路由器有使用年限吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

  据网(wǎng)信(xìn)办消息,日前,网络安(ān)全(quán)路由器有使用年限吗审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ),网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放(fàng),只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

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  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护(hù)国(guó)家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》,网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析,如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì),或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分(fēn)析(xī)称(chēng),长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单,设备(bèi)国产化进程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关公司(sī)份额提升,以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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