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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(l孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理e)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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