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　　大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购(gòuln的公式大全，ln4-ln2等于多少)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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