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相遇时间的公式 相遇时间怎么求 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前,网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

  此次对相遇时间的公式 相遇时间怎么求美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá),目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全,是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú),欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、相遇时间的公式 相遇时间怎么求 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露,薄(b相遇时间的公式 相遇时间怎么求áo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng),以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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