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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全1亿等于多少万审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份1亿等于多少万额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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