大家好，来看一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(不拘于时句式类型，不拘于时句式还原xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来不拘于时句式类型，不拘于时句式还原可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产不拘于时句式类型，不拘于时句式还原化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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