大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(sh丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字òu)的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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