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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，魏承泽作品集 魏承泽一类的作者对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(n魏承泽作品集 魏承泽一类的作者èi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài魏承泽作品集 魏承泽一类的作者)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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