大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn公立小学一年级收费标准明细表，公立小学一年级收费标准表)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

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　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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