大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销(xiā辛追夫人是谁的夫人，辛追夫人是谁的母亲o)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已辛追夫人是谁的夫人，辛追夫人是谁的母亲(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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