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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公手握日月摘星辰,世间无我这般人，李白的诗一剑霜寒十四州司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(手握日月摘星辰,世间无我这般人，李白的诗一剑霜寒十四州wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全手握日月摘星辰,世间无我这般人，李白的诗一剑霜寒十四州(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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