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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设感知力是一种什么能力，手机情景感知是什么意思x;'>感知力是一种什么能力，手机情景感知是什么意思(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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