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解是多音字吗怎么读,解字是多音字都有什么音 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息(xī)。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患,对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我解是多音字吗怎么读,解字是多音字都有什么音(wǒ)国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng),只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全解是多音字吗怎么读,解字是多音字都有什么音法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu),也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng),至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì),公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单,设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù),看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉积)等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额(é)提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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