大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。踢足球可以长高个子吗，为什么踢足球的个子矮ng>

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士踢足球可以长高个子吗，为什么踢足球的个子矮、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de踢足球可以长高个子吗，为什么踢足球的个子矮)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。