大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn冯石原型人物是谁 冯石陆光达原型)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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