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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

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　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù50倍防晒霜能防晒多久，50倍防晒霜能防晒多久时间)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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