大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(天润奶啤有度数吗，天润奶啤千万别喝xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全天润奶啤有度数吗，天润奶啤千万别喝，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波天润奶啤有度数吗，天润奶啤千万别喝龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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