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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jicos180°是多少，cos180度等于多少āng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(cos180°是多少，cos180度等于多少báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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