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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中为什么家人的核酸检测都出来了,我的还没有出来，和家人一起做的核酸检测为什么我的没出结果华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也为什么家人的核酸检测都出来了,我的还没有出来，和家人一起做的核酸检测为什么我的没出结果(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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