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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年表示第一的词语四字，古代表示第一的词语三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Yn表示第一的词语四字，古代表示第一的词语m甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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