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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光略备薄酒的意思下一句，略备薄酒的读音公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。略备薄酒的意思下一句，略备薄酒的读音>

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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