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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎn2016年是什么年g)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波2016年是什么年龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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