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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)料酒可以用白酒替代吗，料酒可以用白酒替代吗网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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