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铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处

铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发消息。

  美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前(qián),网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn),影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

  此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gā铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处o)水平对外开放,只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán),防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维(wéi)护国家(jiā)安铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处全,依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处降,至少已经不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē),确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng),以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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