大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(g富士康在河南有多少员工 富士康是上市公司吗ōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(y富士康在河南有多少员工 富士康是上市公司吗uán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèn富士康在河南有多少员工 富士康是上市公司吗g)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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