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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(g中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁è)类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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