大家好，来(lái)看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ沪上两支花暗指谁 沪上两支花是哪两家)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：重庆三峡中心医院、三峡中心医院、中心医院 沪上两支花暗指谁 沪上两支花是哪两家