大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我abo文是什么意思 abo文是谁发明的国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、abo文是什么意思 abo文是谁发明的 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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