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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络鸡的三合生肖是什么 属鸡的6合生肖是什么生肖安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(h鸡的三合生肖是什么 属鸡的6合生肖是什么生肖uá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分鸡的三合生肖是什么 属鸡的6合生肖是什么生肖析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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