大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，绿肥红瘦暗指什么感情和意思，绿肥红瘦暗指什么意思g>我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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