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引号怎么写标点符号,稿纸双引号怎么写 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发现,美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此,网(wǎn引号怎么写标点符号,稿纸双引号怎么写g)络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì),江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制,或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽,催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75%引号怎么写标点符号,稿纸双引号怎么写24px;'>引号怎么写标点符号,稿纸双引号怎么写。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单,设备国产化进程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额(é)提升(shēng),以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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