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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(t中国为什么叫兔子国íng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(c中国为什么叫兔子国óng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构中国为什么叫兔子国(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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