大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gō许昌学院是一本还是二本分数线，许昌学院是一本还是二本院校ng)室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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