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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(春夏秋冬春为首下联是什么，春夏秋冬春为首下联怎么对shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（春夏秋冬春为首下联是什么，春夏秋冬春为首下联怎么对Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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